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型号： MT47H256M8THN-25E:H TR
制造商： Micron Technology Inc
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MT47H256M8THN-25E:H TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT47H256M8THN-25E:H TR价格参考。Micron Technology IncMT47H256M8THN-25E:H TR封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MT47H256M8THN-25E:H TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT47H256M8THN-25E:H TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MT47H256M8THN-25E:H TR 是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款DDR2 SDRAM存储器，容量为2Gb（256M×8），采用80-ball FBGA封装，工作电压1.8V，数据传输速率可达DDR2-800（时钟频率200MHz，有效速率800Mbps）。该型号为工业级产品，具有较高的稳定性和可靠性，支持宽温工作范围，适用于对环境适应性要求较高的场合。

其主要应用场景包括：  
1. 工业自动化设备：如PLC控制器、工业计算机和人机界面（HMI），在高温、高湿或电磁干扰较强的环境中稳定运行。  
2. 网络通信设备：用于路由器、交换机和基站等设备中，提供快速数据缓存与处理支持。  
3. 嵌入式系统：广泛应用于医疗设备、安防监控系统、POS终端及车载电子系统，满足长期连续运行需求。  
4. 消费类电子产品：部分高清电视、机顶盒和智能家电也采用此类内存以平衡性能与成本。  

该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接，适合现代绿色制造流程。由于其为TR（卷带包装）版本，便于自动化贴片生产，适用于大批量制造场景。尽管DDR2技术已逐步被DDR3/DDR4取代，但在许多工业和嵌入式领域，因系统兼容性和生命周期要求，MT47H256M8THN-25E:H TR仍具有广泛应用价值。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 63FBGA
产品分类	存储器
品牌	Micron Technology Inc
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MT47H256M8THN-25E:H TR
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	63-FBGA（8x10）
包装	带卷（TR）
存储器类型	DDR2 SDRAM
存储容量	2G（256M x 8）
封装/外壳	63-TFBGA
工作温度	0°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	1,000
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	2.5ns